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Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie - Norman Böttcher

Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie

Der inverse Thyristor
Online Resource
XV, 211 Seiten
2026
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH (Hersteller)
978-3-658-50151-8 (ISBN)
CHF 93,75 inkl. MwSt
  • Noch nicht erschienen - erscheint am 14.01.2026
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Erscheint lt. Verlag 14.1.2026
Reihe/Serie Computer Science and Engineering (German Language)
Zusatzinfo XV, 211 S. 105 Abb.
Verlagsort Wiesbaden
Sprache deutsch
Themenwelt Technik Bauwesen
Technik Maschinenbau
Schlagworte Halbleiter • JFET • monolithische Integration • Schutzschalter • selbstauslösend • Siliziumkarbit (SiC)
ISBN-10 3-658-50151-0 / 3658501510
ISBN-13 978-3-658-50151-8 / 9783658501518
Zustand Neuware
Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR)
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