Monolithischer Überstromschutzschalter basierend auf 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH (Verlag)
978-3-658-50150-1 (ISBN)
- Noch nicht erschienen - erscheint am 14.01.2026
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Das vorliegende Buch widmet sich der Konzeptionierung, Realisierung und Charakterisierung eines neuartigen und selbstauslösenden Überstromschutzschalters für 900 V Gleichspannungsanwendungen auf Basis einer 4H-SiC-Sperrschicht-FET-Technologie. Es weist die besondere Eigenschaft auf, als 2-Pol-Leistungshalbleiterbauelement beim Erreichen eines gewissen Auslösestromwertes selbstständig von einem niederohmigen EIN-Zustand in einen sperrenden AUS-Zustand überzugehen und diesen zu halten.
Norman Böttcher forscht als Halbleitertechnologe am Fraunhofer IISB an der Entwicklung neuartiger Halbleiterbauelemente für die Leistungselektronik auf Basis von Halbleitermaterialien mit (ultra-) großer Bandlücke
Motivation.- Physikalische Grundlagen.- Analytische Bauteilmodellierung.- Bauelementauslegung und
Monolithische Integration.- Charakterisierung und Diskussion.- Zusammenfassung und Ausblick.
| Erscheinungsdatum | 29.11.2025 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XV, 211 S. 105 Abb. |
| Verlagsort | Wiesbaden |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Themenwelt | Technik ► Bauwesen |
| Technik ► Maschinenbau | |
| Schlagworte | Halbleiter • JFET • monolithische Integration • Schutzschalter • selbstauslösend • Siliziumkarbit (SiC) |
| ISBN-10 | 3-658-50150-2 / 3658501502 |
| ISBN-13 | 978-3-658-50150-1 / 9783658501501 |
| Zustand | Neuware |
| Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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