Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen
Seiten
2021
Cuvillier Verlag
978-3-7369-7413-5 (ISBN)
Cuvillier Verlag
978-3-7369-7413-5 (ISBN)
GaN-basierte Transistoren werden seit einigen Jahren als vielversprechende Kandidaten für zukünftige leistungselektronische Anwendungen gehandelt. Bei der Entwicklung dieser Bauelemente sollen insbesondere deren Durchbruchfestigkeit, Stromtragfähigkeit und Schaltgeschwindigkeit erhöht werden. Parallel soll die Effizienz immer besser werden. Um dies zu erreichen, müssen sowohl die epitaxische Struktur als auch das Design der Transistorstruktur optimiert werden.
Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine umfassende systematische Studie der Designparameter eines AlGaN/GaN-HEMTs durchgeführt. Ziel dabei war es, ein Transistordesign zu entwickeln, das für leistungselektronische Anwendungen optimiert ist. Die entsprechenden Maßnahmen gliederten sich in zwei große Bereiche: „Design für hohe Spannung“ und „Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit“.
Im Rahmen von Voruntersuchungen wurden systematische Erkenntnisse, Optimierungsmaßnahmen und technologische Lösungen erarbeitet, die in ein neues Transistordesign einflossen. Ein entsprechend optimiertes Design für die angestrebte 65 mΩ-Klasse wurde vorgeschlagen: 134 Finger à 1,6 mm Fingerlänge bei einer Gesamtgateweite Wg = 214,4 mm auf einer Fläche von 10,12 mm². Die optimierten Transistoren wurden am FBH mittels p-GaN-Gate Normally-off-Technologie hergestellt. Im on-state wurde gezeigt, dass die Ströme von Ids max ~ 111 A bei einem Ron von ~ 52 mΩ und erreicht werden. Im off-state erreichten die Leistungselektronik-Transistoren die Durchbruchspannung von 700 V bei einem off-state Leckstrom unter 100 μA. Die hier entwickelten Transistoren zeigten sowohl im on- als auch im off-state ein gutes Potential für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen bis 600 V.
Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine umfassende systematische Studie der Designparameter eines AlGaN/GaN-HEMTs durchgeführt. Ziel dabei war es, ein Transistordesign zu entwickeln, das für leistungselektronische Anwendungen optimiert ist. Die entsprechenden Maßnahmen gliederten sich in zwei große Bereiche: „Design für hohe Spannung“ und „Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit“.
Im Rahmen von Voruntersuchungen wurden systematische Erkenntnisse, Optimierungsmaßnahmen und technologische Lösungen erarbeitet, die in ein neues Transistordesign einflossen. Ein entsprechend optimiertes Design für die angestrebte 65 mΩ-Klasse wurde vorgeschlagen: 134 Finger à 1,6 mm Fingerlänge bei einer Gesamtgateweite Wg = 214,4 mm auf einer Fläche von 10,12 mm². Die optimierten Transistoren wurden am FBH mittels p-GaN-Gate Normally-off-Technologie hergestellt. Im on-state wurde gezeigt, dass die Ströme von Ids max ~ 111 A bei einem Ron von ~ 52 mΩ und erreicht werden. Im off-state erreichten die Leistungselektronik-Transistoren die Durchbruchspannung von 700 V bei einem off-state Leckstrom unter 100 μA. Die hier entwickelten Transistoren zeigten sowohl im on- als auch im off-state ein gutes Potential für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen bis 600 V.
| Erscheinungsdatum | 12.05.2021 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Innovationen mit Mikrowellen und Licht ; 97 |
| Verlagsort | Göttingen |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | 2-dimensional electron gas • 2-dimensionales Elektronengas • alternating current • backend processes • Backend Prozesse • Benzocyclobuten • connection metallisation • Consumer Electronics • Coulomb scattering • Coulomb’sche Streuung • current carrying capacity • DC-DC Converter • DC-DC Konverter • direct current • Drain-Source current • Drain-Source Strom • electromobility • electron mobility • electron velocity • Elektromobilität • Elektronenbeweglichkeit • Elektronengeschwindigkeit • Epitaxial Structure • epitaxische Struktur • Feldeffekttransistor • Field Effect Transistor • GaN-based • GaN-basiert • Gate-Drain Abstand • Gatelänge • Gate-Source Abstand • Gate-Source Strom • Gleichstrom • Halbleiter • High-Electron-Mobility-Transistor • Hochelektronenmobilitätstransistor • HV passivation • HV-Passivierung • Insulation • Isolierung • konsumelektronik • Kontaktwiderstand • leakage current path • Leckströme im AlGaN/GaN HEMT • Leckstrompfad • Leistungselektronik • maximale Sperrspannung • maximum reverse voltage • MOSFET Transistioren • off-state Leckströme • ohmic contact • ohmische Kontakt • p-GaN-Gate • Photovoltaics • Photovoltaik • Power Electronics • Schaltfrequenz • Schaltgeschwindigkeit • Schalttransistor • Schottky-Gate • semiconductor • Signalausbreitung • Signal propagation • SiN passivation • SiN-Passivierung • Stromtragfähigkeit • Switching frequency • switching speed • switching transistor • thermal boundary resistance • Transferlänge • Transistor • transistor design • Transistordesign • transistor structure • Transistorstruktur • Verbindungsmetallisierung • Wärmeübergangswiderstand • Wechselstrom |
| ISBN-10 | 3-7369-7413-2 / 3736974132 |
| ISBN-13 | 978-3-7369-7413-5 / 9783736974135 |
| Zustand | Neuware |
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