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On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications - Matthias Sinnwell

On the Vertical Fin Field-Effect Transistor in Gallium Nitride: Experimental Realization and Evaluation of the Frequency Capability for High-Power, High-Frequency Applications

(Autor)

Buch | Softcover
185 Seiten
2025
Fraunhofer Verlag
978-3-8396-2103-5 (ISBN)
CHF 78,40 inkl. MwSt
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Erscheinungsdatum
Reihe/Serie Science for Systems
Zusatzinfo num., mostly col. illus. and tab.
Verlagsort Stuttgart
Sprache englisch
Maße 148 x 210 mm
Themenwelt Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte Elektroingenieure, Mikrosystemingenieure • FinFET • Gallium nitride • Radio Frequency • vertical transistor • Wide Band Gap Semiconductors
ISBN-10 3-8396-2103-8 / 3839621038
ISBN-13 978-3-8396-2103-5 / 9783839621035
Zustand Neuware
Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR)
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