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Charakterisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren und Anwendung in Speicherfeldern für In-Memory-Computing

(Autor)

Buch | Softcover
178 Seiten
2025
TUDpress (Verlag)
978-3-95908-810-7 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Charakterisierung ferroelektrischer Feldeffekttransistoren und Anwendung in Speicherfeldern für In-Memory-Computing - Franz Müller
CHF 41,70 inkl. MwSt
Ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFET), bei denen im Gate-Stapel Hafniumoxid integriert ist, zeigen ein großes Potenzial für effiziente und leistungsfähige nichtflüchtige Speicher. Vorteilhaft ist, dass sich durch eine Spannungssteuerung der Polarisationsrichtung der Ladungstransport im Transistorkanal modulieren lässt, so dass mehr als nur zwei Speicherzustände möglich sind.
Diese Arbeit untersucht die elektrischen Eigenschaften und Zuverlässigkeitsparameter solcher Hafniumoxid-basierter FeFETs. Ausgehend von der elektrischen Charakterisierung und Materialanalyse wird ein Simulationsmodell entwickelt, welches das Schaltverhalten durch Perkolationsstrompfade erklärt. Die Ergebnisse an Einzelzellen und von begleitenden Simulationen werden auf Speicherfelder übertragen und darauf aufbauend die Multilevel-Ansteuerung von FeFET-Arrays demonstriert. Dies ermöglicht den Einsatz für das In-Memory-Computing, was abschließend untersucht wird.
Erscheinungsdatum
Reihe/Serie Dresdner Beiträge zur Sensorik ; 94
Verlagsort Dresden
Sprache deutsch
Maße 225 x 158 mm
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte CMOS • computing • Dissertation • Elektrotechnik • Mechanik • Memory • Sensoren • Sensorik • Transistor
ISBN-10 3-95908-810-8 / 3959088108
ISBN-13 978-3-95908-810-7 / 9783959088107
Zustand Neuware
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