Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

Daniel Baierhofer (Autor)

Buch | Softcover

XVIII, 243 Seiten

2023
Fau University Press (Verlag)
978-3-96147-619-0 (ISBN)

Infos

Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.

Produkt-Details

• Erscheinungsdatum: 23.02.2023
• Reihe/Serie: FAU Studien aus der Elektrotechnik ; 18
• Verlagsort: Erlangen
• Sprache: deutsch
• Maße: 170 x 240 mm
• Gewicht: 645 g
• Themenwelt: Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
• Schlagworte: Defekt • Elektronisches Bauelement • Halbleitertechnologie • Homoepitaxie • Materialcharakterisierung • Photolumineszenz • Siliciumcarbid
• ISBN-10: 3-96147-619-5 / 3961476195
• ISBN-13: 978-3-96147-619-0 / 9783961476190
• Zustand: Neuware