Vertikaler Tunnel-Feldeffekttransistor auf Silizium
Seiten
2004
|
1., Aufl.
Shaker (Verlag)
978-3-8322-2288-8 (ISBN)
Shaker (Verlag)
978-3-8322-2288-8 (ISBN)
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| Reihe/Serie | Berichte aus der Halbleitertechnik |
|---|---|
| Sprache | deutsch |
| Maße | 148 x 210 mm |
| Gewicht | 243 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | gated p-i-n diode • Halbleitertechnik • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Interband-Tunneln • Kurzkanal-MOSFET • Zener-Tunneln |
| ISBN-10 | 3-8322-2288-X / 383222288X |
| ISBN-13 | 978-3-8322-2288-8 / 9783832222888 |
| Zustand | Neuware |
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