Kontaktierung Ionen-implantierter Boremitter in n-Typ Silizium-Solarzellen mittels Silber/Aluminium-Pasten
Seiten
2016
Dr. Hut (Verlag)
978-3-8439-2806-9 (ISBN)
Dr. Hut (Verlag)
978-3-8439-2806-9 (ISBN)
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Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit Bor-dotierten Ionen-implantierten p+-Emittern für Solarzellen auf n-Typ Silizium und deren Kontaktierung mittels Metallpasten-Druck. Üblicherweise werden dafür Silber-Pasten eingesetzt, denen ein geringer Anteil Aluminium beigemischt wird. Dadurch können zur p+-Schicht ausreichend niedrige spezifische Kontaktwiderstände erreicht werden.
Ein Ziel der Arbeit ist, die Kontaktausbildung zwischen Ag/Al-Paste und Silizium zu verstehen und damit die elektrischen Eigenschaften des Kontaktes zu erklären. Desweiteren sollen die gewonnenen Erkenntnisse dazu benutzt werden, den Wirkungsgrad von n-Typ PERT (passivated emitter, rear totally diffused) Solarzellen zu verbessern.
Ein Ziel der Arbeit ist, die Kontaktausbildung zwischen Ag/Al-Paste und Silizium zu verstehen und damit die elektrischen Eigenschaften des Kontaktes zu erklären. Desweiteren sollen die gewonnenen Erkenntnisse dazu benutzt werden, den Wirkungsgrad von n-Typ PERT (passivated emitter, rear totally diffused) Solarzellen zu verbessern.
Erscheinungsdatum | 26.10.2016 |
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Reihe/Serie | Elektrotechnik |
Verlagsort | München |
Sprache | deutsch |
Maße | 170 x 240 mm |
Gewicht | 280 g |
Einbandart | Paperback |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Ionen-implantierter Boremitter • Kontaktierung • n-Typ Silizium-Solarzellen |
ISBN-10 | 3-8439-2806-1 / 3843928061 |
ISBN-13 | 978-3-8439-2806-9 / 9783843928069 |
Zustand | Neuware |
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