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Tunneling Field Effect Transistor Technology (eBook)

Lining Zhang, Mansun Chan (Herausgeber)

eBook Download: PDF
2016 | 1st ed. 2016
IX, 213 Seiten
Springer International Publishing (Verlag)
978-3-319-31653-6 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Tunneling Field Effect Transistor Technology -
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This book provides a single-source reference to the state-of-the art in tunneling field effect transistors (TFETs).  Readers will learn the TFETs physics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process and the important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designs for power efficiency.

Steep
Slope Devices and TFETs.- Tunnel-FET
Fabrication and Characterization.- Compact Models of TFETs.- Challenges and Designs of TFET for Digital
Applications.- Atomistic Simulations of Tunneling FETs.- Quantum Transport
Simulation of III-V TFETs with Reduced-Order k ·p Method.- Carbon Nanotube TFETs: Structure
Optimization with Numerical Simulation.

Erscheint lt. Verlag 9.4.2016
Zusatzinfo IX, 213 p. 147 illus., 122 illus. in color.
Verlagsort Cham
Sprache englisch
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte Carbon Nanotube TFETs • Low Power SRAM Design • MOSFETs • Nanoscaled Field Effect Transistors • Nanowire Field Effect Transistors • TFETs • Tunneling Field Effect Transistors
ISBN-10 3-319-31653-2 / 3319316532
ISBN-13 978-3-319-31653-6 / 9783319316536
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