Plasmaunterstützte Niedertemperaturprozesse für die Siliziumtechnologie
Prozessentwicklung und Defekt-Engineering
Seiten
2002
|
1., Aufl
Bochumer Universitätsverlag Westdeutscher Universitätsverlag
978-3-934453-87-6 (ISBN)
Bochumer Universitätsverlag Westdeutscher Universitätsverlag
978-3-934453-87-6 (ISBN)
Reinhart Job wurde 1958 in Moers, Nordrhein-Westfalen, geboren. Er hat an der Ruhr-Universität in Bochum Physik studiert und 1992 mit einem Thema zur Hochtemperatur-Supraleitung promoviert. Seit 1993 arbeitet er an der FernUniversität in Hagen am Fachbereich für Elektrotechnik und Informationstechnik, wo er zwei Lehraufträge für Solarzellen-Technologie und Großintegrationstechnik innehat. Sein wissenschaftlicher Schwerpunkt lag in den letzten Jahren auf dem Gebiet der Halbleiter-Materialforschung, insbesondere im Rahmen des Defekt-Engineerings in der Siliziumtechnologie. Die Forschungsaktivitäten von ihm sind in etwa 120 Publikationen, die in internationalen Fachzeitschriften und Konferenz-Proceedings erschienen sind, dokumentiert.
Das Thema des Buches steht unter dem Ziel eines "aktiven Defekt-Engineerings", bei dem durch Einsatz konventioneller Plasmaverfahren einige günstige Eigenschaften von bestimmten Defektkomplexen (thermische Donatoren) in Silizium gezielt eingesetzt werden, um neue kostengünstige und umweltverträgliche technologische Prozesse für die Halbleitertechnologie zu entwickeln. Dabei wurden insbesondere einige katalytische Eigenschaften des Wasserstoffs in Silizium ausgenutzt. Die Arbeit war einerseits von dem ständig steigenden Bedarf an preiswerten elektronischen Halbleiterbauelementen und andererseits von dem Wunsch motiviert, eine Technologie zu entwickeln, die sowohl umweltverträglich ist als auch kompatibel zu den bestehenden Standardverfahren der Siliziumtechnologie in der Halbleiterindustrie. Dem Anspruch auf Kostenreduzierung wurde durch niedrige Prozesstemperaturen und kurze Prozessdauern Genüge getan. Neben den technologischen Entwicklungen werden insbesondere auch relevante materialwissenschaftliche Aspekte analysiert und diskutiert.
Das Thema des Buches steht unter dem Ziel eines "aktiven Defekt-Engineerings", bei dem durch Einsatz konventioneller Plasmaverfahren einige günstige Eigenschaften von bestimmten Defektkomplexen (thermische Donatoren) in Silizium gezielt eingesetzt werden, um neue kostengünstige und umweltverträgliche technologische Prozesse für die Halbleitertechnologie zu entwickeln. Dabei wurden insbesondere einige katalytische Eigenschaften des Wasserstoffs in Silizium ausgenutzt. Die Arbeit war einerseits von dem ständig steigenden Bedarf an preiswerten elektronischen Halbleiterbauelementen und andererseits von dem Wunsch motiviert, eine Technologie zu entwickeln, die sowohl umweltverträglich ist als auch kompatibel zu den bestehenden Standardverfahren der Siliziumtechnologie in der Halbleiterindustrie. Dem Anspruch auf Kostenreduzierung wurde durch niedrige Prozesstemperaturen und kurze Prozessdauern Genüge getan. Neben den technologischen Entwicklungen werden insbesondere auch relevante materialwissenschaftliche Aspekte analysiert und diskutiert.
| Reihe/Serie | Halbleiter-Materialforschung ; 1 |
|---|---|
| Zusatzinfo | ca. 100 Abb. |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 138 x 198 mm |
| Gewicht | 250 g |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Chemie |
| Technik | |
| Schlagworte | Chemie • Halbleiter • Halbleitertechnologie • HC/Chemie/Sonstiges • Plasmaverfahren • Plasmaverfahren; Halbleitertechnologie • Silicium • Wissenschaft |
| ISBN-10 | 3-934453-87-2 / 3934453872 |
| ISBN-13 | 978-3-934453-87-6 / 9783934453876 |
| Zustand | Neuware |
| Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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