Technische Informatik 1
Springer Berlin (Verlag)
978-3-540-60710-6 (ISBN)
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1 Grundlagen der Elektrotechnik.- 1.1 Historischer Überblick.- 1.2 Elektrische Laen und elektrisches Feld.- 1.2.1 Elektrische Laen.- 1.2.2 Das Coulombsche Gesetz.- 1.2.3 Das elektrische Feld.- 1.2.4 Das elektrostatische Potential und die Spannung.- 1.2.5 Elektrische Laen auf Leitern.- 1.2.6 Elektrische Flußdichte.- 1.2.7 Der Kondensator.- 1.3 Gleichstromkreis.- 1.3.1 Stromstärke.- 1.3.2 Das Ohmsche Gesetz.- 1.3.3 Arbeit und Leistung des elektrischen Stromes.- 1.3.4 Kirchhoffsche Sätze.- 1.3.5 Quellenspannung und Klemmenspannung.- 1.4 Elektromagnetisches Feld.- 1.4.1 Magnetisches Feld elektrischer Ströme.- 1.4.2 Das Durchflutungsgesetz.- 1.4.3 Kraftwirkung magnetischer Felder auf stromdurchflossene Leiter.- 1.4.4 Lorentzkraft und Halleffekt.- 1.4.5 Materie im Magnetfeld.- 1.4.6 Elektromagnetische Induktion.- 1.5 Wechselstromkreis.- 1.5.1 Wechselspannung und Wechselstrom.- 1.5.2 Kennwerte von Wechselgrößen.- 1.6 Schaltvorgänge.- 1.6.1 Schaltverhalten an einem Widerstand.- 1.6.2 Schaltverhalten an einer Kapazität.- 1.6.3 Schaltverhalten an einer Induktivität.- 1.7 Datenübertragung.- 1.7.1 Physikalische Darstellung.- 1.7.2 Übertragungsmedien.- 2 Halbleiterbauelemente.- 2.1 Halbleiterphysik.- 2.1.1 Aufbau der Materie.- 2.1.2 Energiebändermodell.- 2.1.3 Kristallstruktur von Germanium und Silizium.- 2.1.4 Eigenleitfähigkeit.- 2.1.5 Störstellenleitfähigkeit (Dotierte Halbleiter).- 2.1.6 pn-Übergang.- 2.2 Halbleiterdioden.- 2.2.1 pn-Übergang mit äußerer Spannung.- 2.2.2 Kennlinie des pn-Übergangs.- 2.2.3 Halbleiterdioden mit besonderen Eigenschaften.- 2.3 Bipolar-Transistoren.- 2.3.1 Der Transistoreffekt.- 2.3.2 Spannungen und Ströme im Betriebszustand.- 2.3.3 Kennlinienfelder und Arbeitspunkt.- 2.4 Unipolare Transistoren.- 2.4.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistor (FET).- 2.4.2 Isolierschicht-Feldeffekt-Transistor (MOS-FET).- 2.5 Gallium-Arsenid-Halbleiterbauelemente.- 3 Elektronische Verknüpfungsglieder.- 3.1 Elektronische Schalter.- 3.1.1 Der ideale Schalter.- 3.1.2 Modell eines realen Schalters.- 3.1.3 Bipolartransistor als Schalter.- 3.1.4 Unipolartransistor als Schalter.- 3.1.5 Kenngrößen.- 3.2 Verknüpfungsglieder mit bipolaren Transistoren.- 3.2.1 TTL-Schaltkreise.- 3.2.2 ECL-Schaltkreise.- 3.2.3 I2L-Schaltkreise.- 3.3 Verknüpfungsglieder mit unipolaren Transistoren.- 3.3.1 PMOS Schaltkreise.- 3.3.2 NMOS Schaltkreise.- 3.3.3 CMOS Schaltkreise.- 4 Schaltnetze.- 4.1 Schaltalgebra.- 4.1.1 Definition der Booleschen Algebra.- 4.1.2 Schaltalgebra — ein Modell der Booleschen Algebra.- 4.1.3 Schaltfunktionen.- 4.1.4 Vektorfunktion.- 4.2 Darstellung und Analyse.- 4.3 Synthese.- 4.4 Beispiele.- 4.4.1 Codierer.- 4.4.2 Addierglieder.- 4.4.3 Multiplexer.- 4.4.4 Komparatoren.- 4.5 Realisierungsformen.- 4.5.1 ROM.- 4.5.2 PROM, EPROM.- 4.5.3 PAL.- 4.5.4 PLA.- 4.5.5 Realisierung mit Multiplexern.- 4.6 Laufzeiteffekte in Schaltnetzen.- 5 Speicherglieder.- 5.1 Funktionsprinzip einer bistabilen Kippschaltung.- 5.2 Funktionsprinzip von RAM-Speicherzellen.- 5.3 RS-Kippglied.- 5.3.1 Kippglied aus NOR-Schaltgliedern.- 5.3.2 Kippglied aus NAND-Schaltgliedern.- 5.4 RS-Kippglied mit Zustandssteuerung.- 5.5 D-Kippglied mit Zustandssteuerung.- 5.6 RS-Kippglied mit Zwei-Zustandssteuerung.- 5.7 JK-Master-Slave-Kippglied.- 5.8 Master-Slave T-Kippglied.- 5.9 Kippglieder mit Taktflankensteuerung.- 5.9.1 Taktflankensteuerung durch RC-Differenzierglieder.- 5.9.2 Taktflankensteuerung realisiert durch Verknüpfungsschaltungen.- 5.10 Zusammenfassung.- 6 Schaltwerke.- 6.1 Automaten.- 6.2 Funktionelle Beschreibung von Schaltwerken.- 6.3 Analyse von Schaltwerken.- 6.3.1 Beispiel 1.- 6.3.2 Beispiel 2.- 6.4 Synthese von Schaltwerken.- 6.4.1 Beispiel 1: Umschaltbarer Zähler.- 6.4.2 Beispiel 2: Schieberegister als Schaltwerk.- 6.5 Realisierung von Schaltwerken.- 6.5.1 Schaltwerke mit diskreten Baugliedern.- 6.5.2 Schaltwerke mit programmierbaren Logikbausteinen..- 7 Integrierte Schaltungen.- 7.1 Schaltungsentwurf.- 7.1.1 Entwurfsebenen.- 7.1.2 Darstellung.- 7.1.3 Werkzeuge und Entwurfsschritte.- 7.1.4 ASICs.- 7.2 Herstellung.- 7.2.1 Herstellung der Siliziumscheibe (Wafer).- 7.2.2 Herstellung der Masken.- 7.2.3 Scheibenprozesse.- 7.2.4 Test.- 7.2.5 Montage.- Abkürzungen.- Schaltzeichen für binäre Verknüpfungsglieder.
| Erscheint lt. Verlag | 19.1.1999 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Springer-Lehrbuch |
| Zusatzinfo | XIII, 303 S. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 155 x 235 mm |
| Gewicht | 485 g |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | Bauelemente • Computer-Hardware • Computertechnik • Digitale Elektronik • Digitalschaltungen • Elektronik • Elektrotechnik • Halbleiter • Halbleiterbauelement • Halbleiterbauelemente • Halbleitertechnik • HC/Informatik, EDV/Informatik • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Informatik • Integrierte Schaltung • Schaltnetze • Schaltung • Technische Informatik |
| ISBN-10 | 3-540-60710-2 / 3540607102 |
| ISBN-13 | 978-3-540-60710-6 / 9783540607106 |
| Zustand | Neuware |
| Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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