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Kapazitiv gekoppelte Impulsbelastung zur Evaluierung der Festigkeit von integrierten Schaltungen gegenüber elektrostatischen Entladungen (eBook)

cc-TLP auf Waferlevel

(Autor)

eBook Download: PDF
2011 | 1. Auflage
72 Seiten
GRIN Verlag
978-3-656-06391-9 (ISBN)

Lese- und Medienproben

Kapazitiv gekoppelte Impulsbelastung zur Evaluierung der Festigkeit von integrierten Schaltungen gegenüber elektrostatischen Entladungen -  Dirk Walter
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Diplomarbeit aus dem Jahr 2006 im Fachbereich Elektrotechnik, Note: 1.1, Universität der Bundeswehr München, Neubiberg (Eletrotechnik FH), Sprache: Deutsch, Abstract: Elektrostatische Entladungen (ESD) sind eine der Hauptausfallursachen integrierter Schaltungen. Mittels ESD-Belastungsmodellen wird versucht, eine Schaltung auf Auf-fälligkeiten bezüglich elektrostatischer Entladung zu untersuchen. Das dabei häufig eingesetzte CDM Verfahren (Charged Device Model) bietet jedoch nicht die Möglichkeit ESD-Belastungen bereits frühzeitig auf dem Wafer durchzuführen. Das in dieser Diplomarbeit vorgestellten Verfahren (Capacitive Coupled - Transmission Line Pulser (CC-TLP) Verfahren auf Waferlevel) erlaubt eine Emulation des CDM auf gehäuselosen Schaltungen. Mittels eines kapazitiv gekoppelten vf TLP Pulses wird dabei ein Pin oder ein Pad der Schaltung belastet. Die Gefahr einer Frühentladung durch Funkenüberschlag (Luftentladung) besteht bei diesem Verfahren nicht. Es wird somit eine bessere Reproduzierbarkeit erreicht. Die Schwerpunkte dieser Diplomarbeit liegen in der Optimierung des Messaufbaus und dem Vergleich der Ergebnisse mit bereits vorhandenen Messungen der gleichen Schaltung. ... Es kann festgehalten werden, dass eine Schaltung welche sich als robust gegenüber CC-TLP Belastungen auf Waferlevel erweißt, unabhängig vom Gehäuse auch keine Beeinträchtigungen durch CDM-Belastungen zeigen wird. Diese frühzeitige Möglichkeit, der Überprüfung der CDM-Festigkeit von Schaltungen, sollte einen nicht unerheblichen Zeit- und Kostenvorteil bieten. Der industrielle Einsatz des CC-TLP Verfahrens auf Waferlevel wird als Ergänzung des CDM-Verfahren gesehen. Eine Standardisierung dieses Verfahrens durch die ESDA (Electrostatic Discharge Association) wird vorgeschlagen.
Erscheint lt. Verlag 22.11.2011
Verlagsort München
Sprache deutsch
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte cc-tlp • cc_tlp • CDM • electrostatic_discharge • Electrostatic Discharge • ESD • Fraunhofer • izm-m • izm_m • package level • package_level • pulsbelastung • Wafer
ISBN-10 3-656-06391-5 / 3656063915
ISBN-13 978-3-656-06391-9 / 9783656063919
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