Blick ins Buch

AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

Jutta Kühn (Autor)

Buch | Softcover

XI, 259 Seiten

2011
KIT Scientific Publishing (Verlag)
978-3-86644-615-1 (ISBN)

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This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Erscheint lt. Verlag	17.6.2011
Reihe/Serie	Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ; 62
Zusatzinfo	graph. Darst.
Sprache	englisch
Maße	148 x 210 mm
Gewicht	430 g
Einbandart	Paperback
Themenwelt	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	AlGaN/GaN HEMT • MMIC design • power-added efficiency • Power Amplifier • Verstärker • X-band
ISBN-10	3-86644-615-2 / 3866446152
ISBN-13	978-3-86644-615-1 / 9783866446151
Zustand	Neuware