Integrierte Gatetreiber in SOI-Technologie für 600V- und 1200V-Leistungssysteme
Seiten
2011
ISLE Steuerungstechnik und Leistungselektronik (Verlag)
978-3-938843-60-4 (ISBN)
ISLE Steuerungstechnik und Leistungselektronik (Verlag)
978-3-938843-60-4 (ISBN)
Die Dissertation beschäftigt sich mit der Konzeption und dem Entwurf von Gatetreiber-ICs in Hochspannungs-SOI-Technologie für 600V- und 1200V-Leistungssysteme und deren Applikation in Intelligenten Leistungsmodulen (IPM).
Das Spektrum existierender Gatetreiber- und IPM-Lösungen wird in den Vorbetrachtungen aufgezeigt.
Ausgehend von den gewonnenen Erkenntnissen wird eine 600V-SOI-Technologie als Entwurfsplattform ausgewählt und ein neuartiges Gatetreiberkonzept entwickelt, welches bisherige Einschränkungen vollintegrierter Ansteuerbausteine hinsichtlich Spannungs-, Laststrom- und Temperaturbereich, sowie Störsicherheit überwindet.
Beispielhaft wird der vollständige Entwurf eines 1200V-IGBT-Halbbrückentreibers von der Schaltungsentwicklung bis zum Layout verfolgt.
Kernstück des Bausteins ist ein innovatives Levelshifterkonzept mit dem durch direkte Kaskadierung zweier 600V-Transistoren der verfügbare Spannungsbereich verdoppelt wird. Weiterhin ist durch erweiterte Levelshifter die Entkopplung der primär- und sekundärseitigen Bezugspotentiale im BOTTOM-Signalweg möglich,
was das Schalten höherer Lastströme ermöglicht.
Umfangreiche experimentelle Untersuchungen bestätigen die vollständige Funktionsfähigkeit des entwickelten Gatetreibers und dessen Eignung für 1200V-IPMs.
Das Spektrum existierender Gatetreiber- und IPM-Lösungen wird in den Vorbetrachtungen aufgezeigt.
Ausgehend von den gewonnenen Erkenntnissen wird eine 600V-SOI-Technologie als Entwurfsplattform ausgewählt und ein neuartiges Gatetreiberkonzept entwickelt, welches bisherige Einschränkungen vollintegrierter Ansteuerbausteine hinsichtlich Spannungs-, Laststrom- und Temperaturbereich, sowie Störsicherheit überwindet.
Beispielhaft wird der vollständige Entwurf eines 1200V-IGBT-Halbbrückentreibers von der Schaltungsentwicklung bis zum Layout verfolgt.
Kernstück des Bausteins ist ein innovatives Levelshifterkonzept mit dem durch direkte Kaskadierung zweier 600V-Transistoren der verfügbare Spannungsbereich verdoppelt wird. Weiterhin ist durch erweiterte Levelshifter die Entkopplung der primär- und sekundärseitigen Bezugspotentiale im BOTTOM-Signalweg möglich,
was das Schalten höherer Lastströme ermöglicht.
Umfangreiche experimentelle Untersuchungen bestätigen die vollständige Funktionsfähigkeit des entwickelten Gatetreibers und dessen Eignung für 1200V-IPMs.
| Sprache | deutsch |
|---|---|
| Maße | 150 x 210 mm |
| Einbandart | Paperback |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Schlagworte | HVIC • Integrierte Gatetreiber • SOI-Technologie |
| ISBN-10 | 3-938843-60-8 / 3938843608 |
| ISBN-13 | 978-3-938843-60-4 / 9783938843604 |
| Zustand | Neuware |
| Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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