Festkörperprobleme
Seiten
1989
|
Softcover reprint of the original 1st ed. 1988
Springer Berlin (Verlag)
978-3-662-16094-7 (ISBN)
Springer Berlin (Verlag)
978-3-662-16094-7 (ISBN)
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Charge-induced structural relaxation in hydrogenated amorphous silicon.- Magnetooptics of two-dimensional electrons under the conditions of integral and fractional quantum hall effect in Si-MOSFETs and GaAs-AlGaAs single heterojunctions.- Microwave investigations of the quantum hall effect in GaAs/AlGaAs heterostructures.- Recent developments in the theory of highly excited semiconductors.- The development of a 4 Mbit DRAM.- Fabrication and optical spectroscopy of ultra small III-V compound semiconductor structures.- Quasi-One-Dimensional electron systems on GaAs/AlGaAs heterojunctions.- On the theory of high Tc superconductors.
| Erscheinungsdatum | 20.12.2018 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Advances in Solid State Physics ; 28 |
| Zusatzinfo | VI, 178 S. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 155 x 235 mm |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik |
| Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Thermodynamik | |
| Schlagworte | Elektron • Festkörper • Halbleiter • Körper • Spektroskopie • Wasserstoff |
| ISBN-10 | 3-662-16094-3 / 3662160943 |
| ISBN-13 | 978-3-662-16094-7 / 9783662160947 |
| Zustand | Neuware |
| Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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