Oberflächen-Passivierung von kristallinem Silicium durch Aluminiumoxid.

Saskia Kühnhold-Pospischil (Autor)

Buch | Softcover

199 Seiten

2018
Fraunhofer Verlag
9783839612538 (ISBN)

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Amorphe Al2O3-Schichten eignen sich hervorragend zur Passivierung kristalliner Si-Oberflächen, was insbesondere in der Photovoltaik zu einem enormen Anstieg der Solarzellen-Effizienz führen kann. In der vorliegenden Arbeit wurden die genauen physikalischen Ursachen der Passiviereigenschaften von Al2O3-Schichten untersucht. Dazu wurden Temperatur-induzierte Aktivierungs- und Degradations-Phänomene von Si/SiO2/Al2O3-Proben analysiert. Unter Anderem wurde so ein Modell zur Beschreibung des Phänomens Blistering erstellt, die Aktivierungsenergie der negativen Grenzflächen-Ladungsträger bestimmt und mit dem Si-db ein Defekt identifiziert, welcher wesentlich zur Rekombination von Minoritätsladungsträgern an der Si/ Al2O3-Grenzfläche beiträgt.

Erscheinungsdatum	14.04.2018
Reihe/Serie	Solare Energie- und Systemforschung
Zusatzinfo	zahlr. Abb. u. Tab.
Verlagsort	Stuttgart
Sprache	deutsch
Maße	148 x 210 mm
Themenwelt	Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Angewandte Physik
	Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik
	Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Festkörperphysik
	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	Angewandte Physik • Atomic & molecular physics • Atom- und Molekülphysik • B • condensed matter physics (liquid state & solid state physics) • Festkörperphysik • Fraunhofer ISE • Halbleiterphysik • Materialwissenschaft • Photovoltaik • Physik • Physik der kondensierten Materie
ISBN-13	9783839612538 / 9783839612538
Zustand	Neuware