Halbleiterprobleme
In Referaten des Halbleiterausschusses des Verbandes Deutscher Physikalischer Gesellschaften Mainz 1955
Seiten
2014
Springer Berlin (Verlag)
9783662161111 (ISBN)
Springer Berlin (Verlag)
9783662161111 (ISBN)
Befreiung von Elektronen aus Valenzband und Störstellen durch Feld und Stoß.- Diskussion zu Referat I.- Assoziation und Wechselwirkung von Störstellen in Ionenkristallen und Halbleitern.- Der p-n-Photoeffekt.- Diskussion zu Referat 3.- Die Eigenschaften der Oberfläche von Germanium und Silizium.- Diskussion zu Referat 4.- Electron and ion motion in oxide cathodes.- Diskussions-Bericht und-Beitrag des Herausgebers zu Referat 5.- Siliziumkarbid, Eigenschaften und Anwendung als Material für spannungsabhängige Widerstände.- Diskussion zu Referat 6.- Ioneschwingungsprobleme bei Übergängen lokalisierter Elektronen in, Halbleitern.- Diskussion zu Referat 7.
| Erscheint lt. Verlag | 23.8.2014 |
|---|---|
| Reihe/Serie | Advances in Solid State Physics |
| Zusatzinfo | VII, 280 S. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Maße | 170 x 244 mm |
| Gewicht | 507 g |
| Themenwelt | Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Atom- / Kern- / Molekularphysik |
| Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Festkörperphysik | |
| Naturwissenschaften ► Physik / Astronomie ► Thermodynamik | |
| Schlagworte | Halbleiter |
| ISBN-13 | 9783662161111 / 9783662161111 |
| Zustand | Neuware |
| Informationen gemäß Produktsicherheitsverordnung (GPSR) | |
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