Semiklassische Modellierung des Ladungstransports in Inversionsschichten für Sub-100 nm-SiGe-CMOS-Transistoren
Seiten
2006
Logos Berlin (Verlag)
978-3-8325-1306-1 (ISBN)
Logos Berlin (Verlag)
978-3-8325-1306-1 (ISBN)
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Sprache | deutsch |
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Maße | 145 x 210 mm |
Einbandart | Paperback |
Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
Schlagworte | Bauelementsimulation • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • Kanalbeweglichkeit • MOSFETs • Quanteneffekte • Verspanntes Silizium |
ISBN-10 | 3-8325-1306-X / 383251306X |
ISBN-13 | 978-3-8325-1306-1 / 9783832513061 |
Zustand | Neuware |
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