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Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen - Peter Baumann

Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen

Simulation mit PSPICE

(Autor)

Buch | Softcover
XI, 251 Seiten
2024 | 4. Aufl. 2024
Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH (Verlag)
978-3-658-43820-3 (ISBN)
CHF 48,95 inkl. MwSt
  • Noch nicht erschienen (ca. Juni 2024)
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Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen. 

Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann arbeitete als Entwicklungsingenieur im Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), als Dozent an der Ingenieurhochschule Mittweida und als Professor an der Westsächsischen Hochschule Zwickau. An der Hochschule Bremen war er als Lehrbeauftragter für Sensorschaltungen tätig.

Halbleiterdioden.- Bipolartransistoren.- HF-Transistoren mit StreuparameternMOS-Feldeffekttransisotoren.- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren.-Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor.- Operationsverstärker.- Optokoppler.- NTC- und PTC-Sensoren.- RGB-Farbsensor.- Piezoelektrische Summer.- Ultraschallwandler.- Gassensoren.- Ionensensitiver Feldeffekttransistor.- Silizium-Solarzellen

Erscheint lt. Verlag 2.6.2024
Zusatzinfo X, 230 S. 48 Abb.
Verlagsort Wiesbaden
Sprache deutsch
Maße 168 x 240 mm
Themenwelt Technik Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte Bauelement • Bipolartransistor • Buch • Diode • Elektronik • Elektrotechnik • Feldeffekttransistor • FET • Halbleiter • Halbleiterdiode • Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor • MOS-Feldeffekttransistor • MOS-FET • Operationsverstärker • Optokoppler. • OrCAD-PSPICE • Sperrschicht-Feldeffekttransistor • Sperrschicht-Feldeffekttransistoren • SPICE-Modellparameter • Transistor
ISBN-10 3-658-43820-7 / 3658438207
ISBN-13 978-3-658-43820-3 / 9783658438203
Zustand Neuware
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