Blick ins Buch

Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik

Lehrbuch Studium

Ulrich Hilleringmann (Autor)

Buch | Softcover

XII, 309 Seiten

2023 | 8., aktualisierte Auflage
Springer Vieweg (Verlag)
978-3-658-42377-3 (ISBN)

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Umfassende Darstellung der Fertigungsverfahren bei der Herstellung mikroelektronischer Schaltungen
Fertigungsverfahren und Technologien in der Mikroelektronik
Aktuelle Verfahren der mikroelektronischen Integrationstechnik

Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.

Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.

lt;p>Herstellung von Siliziumscheiben
Oxidation des dotierten Siliziums
Lithografie
Ätztechnik
Dotiertechniken
Depositionsverfahren
Metallisierung und Kontakte
Scheibenreinigung
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
Erweiterungen zur Höchstintegration
Transistoren mit Nanometer-Abmessungen
Bipolar-Technologie
Montage integrierter Schaltungen.

Erscheinungsdatum	28.10.2023
Zusatzinfo	Illustrationen
Verlagsort	Wiesbaden
Sprache	deutsch
Maße	168 x 240 mm
Gewicht	551 g
Einbandart	kartoniert
Themenwelt	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	Ätztechnik • Bipolarschaltung • Bipolartechnik • Bipolar-Technologie • Chip • CMOS • Depositionsverfahren • Dotierung • Elektronik • Halbleitertechnik • Höchstintegration • Integrierter Schaltung • LGAA • Lithografie • Metallisierung • Oxidation • Schaltungsintegration • Silizium • VGAA • XeF2
ISBN-10	3-658-42377-3 / 3658423773
ISBN-13	978-3-658-42377-3 / 9783658423773
Zustand	Neuware