Störstellen in Galliumnitrid-basierenden Transistoren

Buch | Softcover

V, 132 Seiten

2004
Forschungszentrum Jülich (Verlag)
978-3-89336-361-2 (ISBN)

Reihe/Serie	Schriften des Forschungszentrums Jülich - Informationstechnik /Information Technology ; 7
Sprache	deutsch
Original-Titel	Einfluss der Schichteigenschaften auf das elektrische und optoelektrische Verhalten von AlGaN / GaN HEMT Transistoren
Maße	240 x 170 mm
Einbandart	Paperback
Themenwelt	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	Hardcover, Softcover / Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik • HC/Technik/Elektronik, Elektrotechnik, Nachrichtentechnik
ISBN-10	3-89336-361-0 / 3893363610
ISBN-13	978-3-89336-361-2 / 9783893363612
Zustand	Neuware