Analyse und Optimierung von AlGaN/GaN-HEMTs in der leistungselektronischen Anwendung

Jan Böcker (Autor)

Buch | Softcover

VIII, 191 Seiten

2020
Universitätsverlag der TU Berlin
978-3-7983-3141-9 (ISBN)

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Die Leit- und Schaltverluste eines Leistungshalbleiters haben nach wie vor einen entscheidenden Einfluss auf die Effizienz und die erreichbare Leistungsdichte eines Umrichters. Aktuell zeigen sich AlGaN/GaN-HEMTs vor allem durch ihre hohen Schaltgeschwindigkeiten bei gleichzeitig ausgezeichneten Leiteigenschaften als aussichtsreiche Kandidaten für eine Reduktion dieser Verluste. In dieser Arbeit werden neuartige GaN-Transistoren charakterisiert und für leistungselektronische Anwendungen optimiert. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der gegenseitigen Anpassung der Halbleitertechnologie und der Schaltungsumgebung. Conduction and switching losses of power semiconductors still have decisive influence on the efficiency and achievable power density of a converter. AlGaN/GaN HEMTs are promising reduction of these losses due to their very high switching speeds and excellent conductivity. In this work novel GaN transistors are characterized and optimized for power electronic applications. The focus is on the mutual adaptation of the semiconductor technology and the circuit environment.

Erscheinungsdatum	29.04.2020
Reihe/Serie	Elektrische Energietechnik an der TU Berlin ; 11
Verlagsort	Berlin
Sprache	deutsch
Maße	148 x 210 mm
Gewicht	420 g
Themenwelt	Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik
Schlagworte	Converter • GaN-HEMT • High Electron Mobility Transistor • Leistungselektronik • Power Electronics • Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter • wide bandgap semiconductor
ISBN-10	3-7983-3141-3 / 3798331413
ISBN-13	978-3-7983-3141-9 / 9783798331419
Zustand	Neuware