Halbleiter-Leistungsbauelemente (eBook)
XXII, 383 Seiten
Springer-Verlag
978-3-642-29796-0 (ISBN)
Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.
Professor Josef Lutz studierte Physik an der Universität Stuttgart, ab 1983 arbeitete er bei Semikron Elektronik in Nürnberg. Arbeitsschwerpunkte waren zuerst die Entwicklung von GTO-Thyristoren, dann die Entwicklung von schnellen Dioden. Er führte die Controlled Axial Lifetime (CAL) Diode ein und hält eine Reihe Patente im Gebiet schneller Dioden. 1999 promovierte er in Elektrotechnik an der Universität Ilmenau. Seit August 2001 ist er Professor für Leistungselektronik und elektromagnetische Verträglichkeit an der TU Chemnitz. Er ist Mitglied des Vorstandes des ZfM, des International Steering Committee der EPE, des Fachbeirats der PCIM und des Programmkomitees der ISPS. 2005 wurde er von der nordkaukasischen technischen Universität Stavropol zum Ehrenprofessor ernannt.
Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente Grundlagen.- Halbleiterbauelemente.- Aufbau- und Verbindungstechnik von Leistungsbauelementen.- Zerstörungsmechanismen in Leistungsbauelementen.- Durch Bauelemente verursachte Schwingungseffekte und elektromagnetische Störungen.- Leistungselektronische Systeme.- Sachwortregister.
| Erscheint lt. Verlag | 7.11.2012 |
|---|---|
| Zusatzinfo | XXII, 383 S. 298 Abb. |
| Verlagsort | Berlin |
| Sprache | deutsch |
| Themenwelt | Technik ► Elektrotechnik / Energietechnik |
| Technik ► Maschinenbau | |
| Schlagworte | Bipolare Transistoren • Halbleiter • Halbleiterphysik • Halbleiterphysikalische Grundlagen • Herstellungstechnologie • IGBTs • MOSFET • MOS Transistoren • pn-Übergänge • Robustheit • Schnelle Dioden • Schottky-Dioden • SchwingungseffekteSiC Bauelemente • Superjunction Bauelemente • Systemintegration • Thyristoren • Zuverlässigkeit |
| ISBN-10 | 3-642-29796-X / 364229796X |
| ISBN-13 | 978-3-642-29796-0 / 9783642297960 |
| Haben Sie eine Frage zum Produkt? |
PDF (Wasserzeichen)Größe: 15,1 MB
DRM: Digitales Wasserzeichen
Dieses eBook enthält ein digitales Wasserzeichen und ist damit für Sie personalisiert. Bei einer missbräuchlichen Weitergabe des eBooks an Dritte ist eine Rückverfolgung an die Quelle möglich.
Dateiformat: PDF (Portable Document Format)
Mit einem festen Seitenlayout eignet sich die PDF besonders für Fachbücher mit Spalten, Tabellen und Abbildungen. Eine PDF kann auf fast allen Geräten angezeigt werden, ist aber für kleine Displays (Smartphone, eReader) nur eingeschränkt geeignet.
Systemvoraussetzungen:
PC/Mac: Mit einem PC oder Mac können Sie dieses eBook lesen. Sie benötigen dafür einen PDF-Viewer - z.B. den Adobe Reader oder Adobe Digital Editions.
eReader: Dieses eBook kann mit (fast) allen eBook-Readern gelesen werden. Mit dem amazon-Kindle ist es aber nicht kompatibel.
Smartphone/Tablet: Egal ob Apple oder Android, dieses eBook können Sie lesen. Sie benötigen dafür einen PDF-Viewer - z.B. die kostenlose Adobe Digital Editions-App.
Buying eBooks from abroad
For tax law reasons we can sell eBooks just within Germany and Switzerland. Regrettably we cannot fulfill eBook-orders from other countries.
aus dem Bereich
